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非接觸霍爾遷移率
在霍爾效應(yīng)傳感器中，自由電子的移動(dòng)能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動(dòng)難易程度的關(guān)鍵指標(biāo)。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公...

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非接觸霍爾遷移率微波法電阻率半導(dǎo)體
微波法霍爾遷移率
在霍爾效應(yīng)傳感器中，自由電子的移動(dòng)能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動(dòng)難易程度的關(guān)鍵指標(biāo)。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

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微波法非接觸霍爾遷移率半導(dǎo)體遷移率
微波法少子壽命
即少數(shù)載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導(dǎo)體中產(chǎn)生直到消失的時(shí)間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數(shù)載流子（因?yàn)?..

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少子壽命渦流法非接觸式方阻電阻率
表面光電壓JPV\SPV
表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡(jiǎn)稱SPV法）是通過測(cè)量由于光照在半導(dǎo)體材料表面產(chǎn)生的表面電壓來獲得少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的方...

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表面光電壓儀JPV\SPVJPVSPV半導(dǎo)體方塊電阻
遷移率（霍爾）測(cè)試儀
霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達(dá)式為μH =│RH│σ。?12定義和計(jì)...

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霍爾遷移率非接觸渦流法方阻渦流法電阻率
光電少子壽命測(cè)試儀
非接觸式無損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀，遷移率（霍...

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少子壽命非接觸渦流法電阻率非接觸方阻光電無損
霍爾遷移率測(cè)試儀
霍爾遷移率測(cè)試儀主要利用微波測(cè)試原理，非接觸式測(cè)量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度?？蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，具有快速，無...

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霍爾遷移率非接觸式渦流法方阻渦流法電阻率方阻
遷移率少子壽命測(cè)試儀
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晶圓方阻硅片電阻率遷移率測(cè)試儀渦流法電阻率測(cè)試儀少子壽命測(cè)試儀